國儀量子電鏡在EUV光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度中的應(yīng)用報(bào)告
國儀量子電鏡在 EUV 光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度的應(yīng)用報(bào)告
一、背景介紹
在芯片制造領(lǐng)域，極紫外光刻（EUV）技術(shù)是實(shí)現(xiàn)芯片特征尺寸不斷縮小、集成度持續(xù)提升的核心技術(shù)。隨著芯片制造工藝向 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，EUV 光刻憑借其 13.5nm 的極短波長，能夠?qū)崿F(xiàn)更高分辨率的圖形轉(zhuǎn)移，滿足芯片制造對(duì)精細(xì)圖案的嚴(yán)苛要求。
光刻膠作為 EUV 光刻中的關(guān)鍵材料，在曝光后需經(jīng)過顯影工藝形成精確的圖形。其中，光刻膠顯影后圖形的側(cè)壁角度對(duì)芯片性能起著決定性作用。理想的垂直側(cè)壁角度能夠確保后續(xù)刻蝕等工藝精確復(fù)制光刻圖案，保證芯片電路的精準(zhǔn)布線和器件性能。若側(cè)壁角度出現(xiàn)偏差，如呈現(xiàn)內(nèi)傾或外傾，會(huì)導(dǎo)致刻蝕過程中圖案變形，影響芯片的電學(xué)性能，增加短路或斷路風(fēng)險(xiǎn)，降低芯片的成品率和可靠性。側(cè)壁角度受光刻膠材料特性、曝光劑量、顯影時(shí)間和溫度等多種因素綜合影響。因此，精準(zhǔn)測(cè)量 EUV 光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度，對(duì)優(yōu)化光刻工藝、提高芯片制造質(zhì)量、推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。
二、電鏡應(yīng)用能力
（一）微觀形貌成像
國儀量子 SEM3200 電鏡具備高分辨率成像能力，能夠清晰呈現(xiàn) EUV 光刻膠顯影后圖形的微觀形貌�？删_觀察到圖形側(cè)壁的形狀，判斷其是否垂直，以及是否存在彎曲、鋸齒等異常情況。通過對(duì)微觀形貌的細(xì)致成像，為測(cè)量側(cè)壁角度提供直觀且準(zhǔn)確的圖像基礎(chǔ)。例如，清晰的側(cè)壁輪廓成像有助于準(zhǔn)確確定測(cè)量角度的基準(zhǔn)線。
（二）側(cè)壁角度測(cè)量與分析
借助 SEM3200 配套的圖像分析軟件，能夠?qū)饪棠z顯影后圖形的側(cè)壁角度進(jìn)行精確測(cè)量。在圖像上選取合適的測(cè)量點(diǎn)，通過軟件算法計(jì)算側(cè)壁與基底平面的夾角。對(duì)不同位置的多個(gè)圖形進(jìn)行測(cè)量，統(tǒng)計(jì)分析側(cè)壁角度的分布情況，評(píng)估角度的一致性。例如，較小的角度標(biāo)準(zhǔn)差意味著側(cè)壁角度均勻，有利于提高芯片制造的一致性和可靠性。精確的側(cè)壁角度測(cè)量與分析為工藝優(yōu)化提供量化數(shù)據(jù)支持。
（三）角度與工藝參數(shù)關(guān)聯(lián)研究
SEM3200 獲取的側(cè)壁角度數(shù)據(jù)，結(jié)合實(shí)際光刻工藝參數(shù)，能夠輔助研究側(cè)壁角度與工藝參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)。通過對(duì)不同工藝條件下光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度的對(duì)比分析，確定哪些工藝參數(shù)的變化對(duì)側(cè)壁角度影響顯著。例如，發(fā)現(xiàn)曝光劑量的微小調(diào)整會(huì)導(dǎo)致側(cè)壁角度發(fā)生明顯變化，為優(yōu)化光刻工藝參數(shù)提供依據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)側(cè)壁角度的精準(zhǔn)控制。
三、產(chǎn)品推薦
國儀量子 SEM3200 鎢燈絲掃描電鏡是 EUV 光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度測(cè)量的理想設(shè)備。它具有良好的分辨率，能清晰捕捉到光刻膠圖形微觀形貌的細(xì)微特征和角度變化。操作界面人性化，配備自動(dòng)功能，大大降低了操作難度，即使經(jīng)驗(yàn)不足的研究人員也能快速上手，高效完成測(cè)量任務(wù)。設(shè)備性能穩(wěn)定可靠，長時(shí)間連續(xù)工作仍能確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性與重復(fù)性。憑借這些優(yōu)勢(shì)，SEM3200 為芯片制造企業(yè)、光刻膠研發(fā)機(jī)構(gòu)以及科研院所提供了有力的技術(shù)支撐，助力優(yōu)化光刻工藝、提高芯片制造質(zhì)量，推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與發(fā)展。
一、背景介紹
在芯片制造領(lǐng)域，極紫外光刻（EUV）技術(shù)是實(shí)現(xiàn)芯片特征尺寸不斷縮小、集成度持續(xù)提升的核心技術(shù)。隨著芯片制造工藝向 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，EUV 光刻憑借其 13.5nm 的極短波長，能夠?qū)崿F(xiàn)更高分辨率的圖形轉(zhuǎn)移，滿足芯片制造對(duì)精細(xì)圖案的嚴(yán)苛要求。
光刻膠作為 EUV 光刻中的關(guān)鍵材料，在曝光后需經(jīng)過顯影工藝形成精確的圖形。其中，光刻膠顯影后圖形的側(cè)壁角度對(duì)芯片性能起著決定性作用。理想的垂直側(cè)壁角度能夠確保后續(xù)刻蝕等工藝精確復(fù)制光刻圖案，保證芯片電路的精準(zhǔn)布線和器件性能。若側(cè)壁角度出現(xiàn)偏差，如呈現(xiàn)內(nèi)傾或外傾，會(huì)導(dǎo)致刻蝕過程中圖案變形，影響芯片的電學(xué)性能，增加短路或斷路風(fēng)險(xiǎn)，降低芯片的成品率和可靠性。側(cè)壁角度受光刻膠材料特性、曝光劑量、顯影時(shí)間和溫度等多種因素綜合影響。因此，精準(zhǔn)測(cè)量 EUV 光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度，對(duì)優(yōu)化光刻工藝、提高芯片制造質(zhì)量、推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。
二、電鏡應(yīng)用能力
（一）微觀形貌成像
國儀量子 SEM3200 電鏡具備高分辨率成像能力，能夠清晰呈現(xiàn) EUV 光刻膠顯影后圖形的微觀形貌�？删_觀察到圖形側(cè)壁的形狀，判斷其是否垂直，以及是否存在彎曲、鋸齒等異常情況。通過對(duì)微觀形貌的細(xì)致成像，為測(cè)量側(cè)壁角度提供直觀且準(zhǔn)確的圖像基礎(chǔ)。例如，清晰的側(cè)壁輪廓成像有助于準(zhǔn)確確定測(cè)量角度的基準(zhǔn)線。
（二）側(cè)壁角度測(cè)量與分析
借助 SEM3200 配套的圖像分析軟件，能夠?qū)饪棠z顯影后圖形的側(cè)壁角度進(jìn)行精確測(cè)量。在圖像上選取合適的測(cè)量點(diǎn)，通過軟件算法計(jì)算側(cè)壁與基底平面的夾角。對(duì)不同位置的多個(gè)圖形進(jìn)行測(cè)量，統(tǒng)計(jì)分析側(cè)壁角度的分布情況，評(píng)估角度的一致性。例如，較小的角度標(biāo)準(zhǔn)差意味著側(cè)壁角度均勻，有利于提高芯片制造的一致性和可靠性。精確的側(cè)壁角度測(cè)量與分析為工藝優(yōu)化提供量化數(shù)據(jù)支持。
（三）角度與工藝參數(shù)關(guān)聯(lián)研究
SEM3200 獲取的側(cè)壁角度數(shù)據(jù)，結(jié)合實(shí)際光刻工藝參數(shù)，能夠輔助研究側(cè)壁角度與工藝參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)。通過對(duì)不同工藝條件下光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度的對(duì)比分析，確定哪些工藝參數(shù)的變化對(duì)側(cè)壁角度影響顯著。例如，發(fā)現(xiàn)曝光劑量的微小調(diào)整會(huì)導(dǎo)致側(cè)壁角度發(fā)生明顯變化，為優(yōu)化光刻工藝參數(shù)提供依據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)側(cè)壁角度的精準(zhǔn)控制。
三、產(chǎn)品推薦
- 國儀量子電鏡在TSV硅通孔深寬比測(cè)量中的應(yīng)用報(bào)告
- 國儀量子電鏡在半導(dǎo)體納米線直徑均勻性統(tǒng)計(jì)中的應(yīng)用報(bào)告
- 國儀量子電鏡在磁存儲(chǔ)器MTJ隧道結(jié)界面分析中的應(yīng)用報(bào)告
- 國儀量子電鏡在 GaN HEMT 器件柵極凹槽形貌分析的應(yīng)用報(bào)告
- 國儀量子電鏡在MEMS加速度計(jì)懸臂梁應(yīng)力觀測(cè)中的應(yīng)用報(bào)告
- 國儀量子電鏡在EUV光刻膠顯影后圖形側(cè)壁角度中的應(yīng)用報(bào)告
- 國儀量子電鏡在ALD高k介質(zhì)薄膜覆蓋率評(píng)估中的應(yīng)用報(bào)告
- 國儀量子SEM3200在深紫外LED電極接觸電阻分析中的應(yīng)用報(bào)告
Copyright(C) 1998-2025 生物器材網(wǎng) 電話：021-64166852;13621656896 E-mail：info@bio-equip.com