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鈣鈦礦太陽(yáng)能電池材料及QLED發(fā)光檢測(cè)

瀏覽次數(shù):1736 發(fā)布日期:2022-7-5  來(lái)源:昊量

鈣鈦礦材料(Perovskite)起初是為紀(jì)念俄國(guó)地質(zhì)學(xué)家列夫·佩羅夫斯基 ( Lev Perovski )發(fā)現(xiàn)存在于礦石中的鈦酸鈣(CaTiO3)自2009年有機(jī)無(wú)機(jī)鈣鈦礦被報(bào)道應(yīng)用于太陽(yáng)能領(lǐng)域以來(lái),不斷挖掘出的優(yōu)異性能使得鈣鈦礦在諸多領(lǐng)域成為明星材料,如太陽(yáng)能電池,電致發(fā)光器件,激光等等。),化合物而以他的名字命名,其一般化學(xué)式為ABX3,其中A、B為陽(yáng)離子,X為陰離子。早在1884年Topose就制備了有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦晶體材料。后來(lái),研究者在發(fā)光二極管(LED)等器件中進(jìn)行了探索研究。

CH3NH3PbI3(MAPbI3)等鈣鈦礦材料具有高消光系數(shù)且?guī)逗线m、電荷擴(kuò)散范圍長(zhǎng)、優(yōu)良的雙ji性載流子輸運(yùn)性質(zhì)、較寬的光譜吸收范圍、制備工藝簡(jiǎn)單、制備條件溫和、制成電池光電轉(zhuǎn)換效率高和成本較低等優(yōu)點(diǎn),目前基于鈣鈦礦材料的太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)已經(jīng)超過(guò)百分之20,成為目前新型太陽(yáng)電池的研究熱點(diǎn)之一。

微信圖片_20220630173342.png

自2009年有機(jī)無(wú)機(jī)鈣鈦礦被報(bào)道應(yīng)用于太陽(yáng)能領(lǐng)域以來(lái),不斷挖掘出的優(yōu)異性能使得鈣鈦礦在諸多領(lǐng)域成為明星材料,如太陽(yáng)能電池,電致發(fā)光器件,激光等等。然而,有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦中的有機(jī)組分容易與空氣中水氧反應(yīng),存在穩(wěn)定性差等問(wèn)題,阻礙了實(shí)際的器件應(yīng)用。相較而言,眾多研究表明無(wú)機(jī)鹵素鈣鈦礦(CsPbBr3,X=Cl,Br,I)具有更高的熱穩(wěn)定性,同時(shí)具有高量子產(chǎn)率,窄發(fā)光波長(zhǎng),優(yōu)異的電荷傳輸?shù)裙怆娦阅,吸引了越?lái)越多研究人員聚焦的目光。2015年1月,瑞士的Maksym教授課題組報(bào)道了無(wú)機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbX3,量子產(chǎn)率高達(dá)百分之90,發(fā)光顏色在整個(gè)可見(jiàn)光范圍內(nèi)可調(diào),同時(shí)具有百分之140NTSC的寬色域,在發(fā)光領(lǐng)域表現(xiàn)出很大的潛力。2015年10月,曾海波課題組成功制備了由無(wú)機(jī)鈣鈦礦做發(fā)光層的紅綠藍(lán)三基色量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED),其中基于CsPbBr3的綠光QLED外量子效率上限,為百分之0.12,亮度為946 cd/m2(Advanced Materials, 2015, 27, 7162)。隨后,國(guó)際上越來(lái)越多的課題組加入了對(duì)無(wú)機(jī)鈣鈦礦發(fā)光器件的研究,正在針對(duì)下一代柔性高清顯示的需求不斷探索提升器件性能的新思路。

 

提純過(guò)程中CsPbBr3量子點(diǎn)墨水穩(wěn)定性,發(fā)光性能,旋涂的薄膜及相關(guān)微結(jié)構(gòu)演變.jpg


南京理工大學(xué)納米光電材料研究所暨新型顯示材料與器件工信部重*點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的曾海波團(tuán)隊(duì),在創(chuàng)造("first" 引自Nature Nanotech. 2015, 10, 1001)了全無(wú)機(jī)鈣鈦礦三基色發(fā)光二極管(Adv. Mater. 2015, 27, 7162)的基礎(chǔ)上,提出利用混合溶劑提純的方法調(diào)控量子點(diǎn)表面配體密度,實(shí)現(xiàn)了量子點(diǎn)墨水高穩(wěn)定性、量子點(diǎn)膜高均勻性、高光致發(fā)光效率、有效電荷注入等四個(gè)要素的共存,從而將QLED發(fā)光器件效率提高了50倍,再創(chuàng)了該體系電致發(fā)光的世界紀(jì)錄。所制得的量子點(diǎn)LED亮度達(dá)到了15185 cd/m2, 外量子效率達(dá)到百分之6.27。該工作以"50-fold EQE Improvement up to 百分之6.27 of Solution-processed All-inorganic Perovskite CsPbBr3 QLED svia Surface Ligand Density Control"為題發(fā)表在《先進(jìn)材料》上(Advanced Materials 2016, 10. 1002/adma. 201603885)。

 

分析器件空穴傳輸層變化和量子點(diǎn)混合溶劑處理對(duì)發(fā)光器件性能影響.jpg

 

從傳統(tǒng)量子點(diǎn)發(fā)展歷程中,我們不難發(fā)現(xiàn)量子點(diǎn)的表面配體(例如配體種類(lèi),含量等)是影響量子點(diǎn)LED性能的主要因素。在傳統(tǒng)的鎘基量子點(diǎn)LED中,配體純化已經(jīng)被普遍運(yùn)用,但是晶體的離子特性使得無(wú)機(jī)鈣鈦礦易受到清洗溶劑的ji性影響,難以進(jìn)行有效的量子點(diǎn)產(chǎn)物提純,更不用說(shuō)進(jìn)行表面配體含量調(diào)控。如何同時(shí)實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)墨水高穩(wěn)定性、量子點(diǎn)膜高均勻性、高光致發(fā)光效率、有效電荷注入這四個(gè)QLED所需的要素是領(lǐng)域內(nèi)目前的關(guān)鍵問(wèn)題。針對(duì)上面問(wèn)題,曾海波課題組提出了利用混合溶劑來(lái)進(jìn)行表面配體調(diào)控,使量子點(diǎn)表面鈍化與后期器件電荷注入兩者之間達(dá)到一個(gè)良性平衡點(diǎn),從而提高量子點(diǎn)發(fā)光器件性能。該課題組研究人員選用了己烷和乙酸乙酯作為混合溶劑進(jìn)行量子點(diǎn)提純;發(fā)現(xiàn)產(chǎn)物在進(jìn)行兩次混合溶劑提純之后,既保證了量子點(diǎn)表面充分鈍化(熒光量子產(chǎn)率保持在百分之80以上),又能有效地去除多余的表面配體,大幅度地提高了發(fā)光器件電荷注入效率,成功制備出外量子效率達(dá)百分之6.27,亮度超過(guò)15000cd/m2的CsPbBr3-QLED,大大提升了基于無(wú)機(jī)鈣鈦礦發(fā)光器件的性能。該方法一定程度上解決了無(wú)機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)提純難題,有助于推動(dòng)無(wú)機(jī)鈣鈦礦在實(shí)際發(fā)光器件中的應(yīng)用。

 

分析提純過(guò)程對(duì)CsPbBr3量子點(diǎn)熒光性能和器件電荷注入影響.jpg

 

通過(guò)核磁共振譜(NMR),光電子能譜(XPS)及紅外光譜(FT-IR)多方面表征了不同量子點(diǎn)提純次數(shù)下表面配體的變化,計(jì)算了提純過(guò)程后相應(yīng)的表面配體密度,證明了量子點(diǎn)表面配體密度隨著提純次數(shù)增加不斷減少。接著,研究人員對(duì)被提純不同次數(shù)的CsPbBr3量子點(diǎn)進(jìn)行了光學(xué)和電學(xué)性能方面的表征。

 

CsPbBr3量子點(diǎn)純化過(guò)程示意圖及前三次提純配體變化分析.jpg

 

光學(xué)測(cè)試方面表明適當(dāng)?shù)奶峒兇螖?shù)未破壞該量子點(diǎn)發(fā)光性能,而電學(xué)性能測(cè)試證明經(jīng)多次混合溶劑提純很大程度上提高了器件的電荷注入能力。使用濱松C9920系列電致發(fā)光系統(tǒng)測(cè)試,成功制備出了上限外量子效率達(dá)百分之6.27,發(fā)光亮度達(dá)15185cd/m2的CsPbBr3發(fā)光器件,有力地推動(dòng)了全無(wú)機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)在照明與顯示領(lǐng)域的應(yīng)用。

 

【參考文獻(xiàn)】

 

[1] 50-Fold EQE Improvement up to 6.27% of Solution-Processed All-Inorganic Perovskite CsPbBr3 QLEDs via Surface Ligand Density Control.https://doi.org/10.1002/adma.201603885

 

[2] Efficient and bright white light-emitting diodes based on single-layer heterophase halide perovskites. https://doi.org/10.1038/s41566-020-00743-1

 

以上工作均采用了濱松公司C9920-12外量子效率電致發(fā)光測(cè)量系統(tǒng),搭配吉時(shí)力2400,可實(shí)現(xiàn)OLED,LED及QLED等三明治夾層型器件的光電測(cè)試。C9920-12 外量子效率電致發(fā)光測(cè)量系統(tǒng)

 

2.png

 

其特點(diǎn)如下:

  • 探測(cè)范圍廣:發(fā)射光譜探測(cè)范圍300nm-950nm,可擴(kuò)展至300nm-1650nm;

  • 可同時(shí)測(cè)得器件發(fā)光朗伯體分布,I-V-L,EQE及發(fā)射光譜等光學(xué)、電學(xué)及色度信息;

  • 測(cè)試方便。自動(dòng)化測(cè)試并提供定制化器件夾具,保證測(cè)試過(guò)程穩(wěn)定、快速。

來(lái)源:北京睿光科技有限責(zé)任公司
聯(lián)系電話:13810878753
E-mail:william@bjraylight.com

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